仕事内容（具体的な業務内容）
ご案内の企業は、中国の揚州に本社を置く半導体メーカー(IDM)の日本支社となります。
本社は、CAGRが20%を超える成長中の海外上場企業です。
製品の主力はダイオードで、
整流ダイオード分野においては世界1位のシェアを誇っておられます。
近年は、PowerMOS, IGBT, SiCデバイスの強化を行っており、
IGBT、そしてSiC製品事業拡大のため、
日本開発センターの人員増強を推進しておられます。
特徴は、ウエハーのインゴットの設計・製造までも自社で行い
内製比率を高めることにより製品のリードタイムを短く、
コストも低くできる点にあります。
前工程・後工程あわせ15工場をもつことで、
コロナ禍時の半導体不足により、業界として供給がタイトな時も
供給を維持し続けてこられました。
東京に日本法人本社および開発センターをもち、
昨年、大阪支店を開設、
今年、名古屋支店を開設予定です。
開発センターは少数精鋭のまだ小さなチームですが、
各人が大きな裁量をもって働け、
エンジニアとして自由な空気での開発ができる環境かと存じます。
■仕事内容
IGBTデバイスの開発・設計をご担当いただきます。
主な業務は以下の通りです。
・外部Fabを使用したIGBTチップ開発
・TCADを使用したデバイス、プロセス設計
・構造検討／レイアウト設計
・プロセスインテグレーション
・前工程量産管理
・素子試作評価、分析解析 など。
※ご専門の内容に応じて業務内容を決定。
※業務の内容次第で中国への出張が必要となる場合がありますが、
あくまでも出張ベース（3ヶ月に1～2週間程度）です。
お仕事NO
YJ
職種名
IGBTデバイス開発・設計 ◆整流ダイオード分野世界Top ◆東京都中央区or大阪市勤務 ◆年収7
募集背景
【募集背景】
IGBT製品事業拡大のため、日本開発センターの人員増強のための募集です。
【配属先】
配属先となる日本支社 開発センター は少数精鋭チームです。
まだ小さなチームですので、各人が大きな裁量をもって働ける魅力的な職場です。
やる気次第で可能性は大きく広がります。
| 必須経験・スキル | ・IGBTデバイス設計経験 ・IGBT、高耐圧パワーデバイスのデバイス開発経験者 ※年齢不問。知識、経験、開発への気力を重視させて頂きます。 |
| あれば有利な経験・スキル | ・IGBT開発経験 ・パワーデバイス応用技術の経験 ・プロセスインテグレータの経験 ・プロセス要素技術（熱処理、リソ、エッチ、メタライズ等）の経験 ※語学力は問いません。 |
| フィットする人物像 | |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 勤務地 | 東京オフィス：東京都中央区東日本橋3-11-8 大阪オフィス：大阪市淀川区西宮原 1-8-10 Vianode新大阪 |
| 勤務地詳細 | ＜東京オフィスアクセス＞MKT東日本 ・都営浅草線「東日本橋」駅直結 ・都営新宿線「馬喰横山」駅徒歩2分 ・JR線「馬喰町」駅徒歩3分＜大阪オフィスアクセス＞ ・御堂筋線「新大阪駅」徒歩6分 ・JR「新大阪駅」徒歩9分 |
| 勤務時間 | 9:00～17:00(所定労働時間：7時間) |
| 年収・給与 | 500万円～800万円（以上も可能） ※上記はあくまでも保証額です。 経験・能力に応じてご相談させていただきます。 |
| 待遇・福利厚生 | 昇給制度あり 賞与年2回 各種社会保険完備 試用期間３カ月有り：条件変動なし |
| 休日休暇 | 年間休日120日 完全週休2日制（土日）、祝日、夏季・年末年始、慶弔休暇 有給休暇：初年度10日（入社半年経過時点） |
| 選考プロセス |
| 社名 | YJテクノロジージャパン株式会社 ※本社：Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
| 事業内容・会社の特徴 | 創業：2000年 設立：2006年8月２日 資本金：7065万ドル 売上：1200億円（2023年実績） 従業員数：6257人 本社：中国 支社：アメリカ・韓国・台湾・日本 上場：深セン証券取引所 2014年1月23日 ■事業内容 ディスクリート・デバイス・チップ、電力ダイオード及びブリッジ整流器等を含む半導体部品の研究・開発・製造・販売 【企業概要】 中国の揚州に本社を置く半導体メーカー(IDM)。CAGR（年平均成長率）が20%を超える急成長中の上場企業（深セン証券取引所）です。 開発製品は、照明、電源、顧客電子機器、コンピューターおよび周辺機器、電子機器およびメーター、通信、産業および自動制御、自動車用電子機器などの分野で広く使用されています。 【企業の特徴】 ＜主力製品＞ ・主力はダイオードで、整流ダイオード分野においては世界トップクラスのシェアを誇ります。 ＜重点分野＞ ・近年は、PowerMOS, IGBT, SiCデバイスの強化を行っております。 ＜製品ライン＞ ・ディスクリート半導体チップ、ダイオード、ブリッジ整流器、小信号、MOSFET、 パワーモジュール、SiCなど幅広い製品ラインがあり、北米・EUでの販売会社も有する会社です。 ＜取引先＞ ・日本を含めた世界の名だたる大手企業との実績があります。 |
| 設立 | 2006年8月２日 |
| 資本金 | 7065万ドル |
| 売上高 | 1200億円（2023年実績） |
| 従業員数 | 6257人 |
